Продукція > MOTOROLA > JANTX2N718A

JANTX2N718A MOTOROLA

123516-lds-0200-datasheet
Виробник: MOTOROLA

на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N718A MOTOROLA

Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18, Qualification: MIL-PRF-19500/181, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Grade: Military.

Інші пропозиції JANTX2N718A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTX2N718A JANTX2N718A Microchip Technology 123516-lds-0200-datasheet Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18
Qualification: MIL-PRF-19500/181
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Grade: Military
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N718A Microchip / Microsemi LDS_0200-1661333.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N718A 123516-lds-0200-datasheet
JANTX2N718A
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18
Qualification: MIL-PRF-19500/181
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Grade: Military
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTX2N718A LDS_0200-1661333.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.