на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 744.14 грн |
| 100+ | 703.90 грн |
| 250+ | 598.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV1N4942 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: MIL-PRF-19500/359.
Інші пропозиції JANTXV1N4942
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV1N4942 | Виробник : Semtech |
 MIL 1A FAST RECTIFIER POWER DISCR 1N4942кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTXV1N4942 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: MIL-PRF-19500/359 |
товару немає в наявності |