Продукція > MICROSEMI > JANTXV1N5420

JANTXV1N5420 Microsemi

124360-lds-0231-datasheet 362.d73gLFwwstjqRE71eWY7ZjB7rlAMhCT2R1CbTTg
Виробник: Microsemi

на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV1N5420 Microsemi

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, Axial, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: B, Axial, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/411, Grade: Military.

Інші пропозиції JANTXV1N5420

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTXV1N5420 JANTXV1N5420 Microchip Technology 124360-lds-0231-datasheet Description: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Grade: Military
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5420 Semtech Corporation 362.d73gLFwwstjqRE71eWY7ZjB7rlAMhCT2R1CbTTg Description: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4.5A
Supplier Device Package: Axial
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/411
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5420 Microchip / Microsemi LDS_0231_2c_2b1N5415_2bthru_2b1N5420_2c_2bMIL_PRF_-3442477.pdf Small Signal Switching Diodes 660V 3A UFR,FRR THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5420 124360-lds-0231-datasheet
JANTXV1N5420
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Grade: Military
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5420 362.d73gLFwwstjqRE71eWY7ZjB7rlAMhCT2R1CbTTg
Виробник: Semtech Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4.5A
Supplier Device Package: Axial
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/411
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5420 LDS_0231_2c_2b1N5415_2bthru_2b1N5420_2c_2bMIL_PRF_-3442477.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Small Signal Switching Diodes 660V 3A UFR,FRR THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.