Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > JANTXV1N5553US
JANTXV1N5553US

JANTXV1N5553US Microchip Technology

vleUsHb68.FCDqQHUe4L8QjGXawM1c89FiGabW6AFo8
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV1N5553US Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, B, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JANTXV1N5553US

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTXV1N5553US JANTXV1N5553US Semtech Corporation vleUsHb68.FCDqQHUe4L8QjGXawM1c89FiGabW6AFo8 Description: DIODE GEN PURP 800V 5A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5553US JANTXV1N5553US Microchip / Microsemi microchiptechnology_mscos10223_1-1991179.pdf Rectifiers Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5553US vleUsHb68.FCDqQHUe4L8QjGXawM1c89FiGabW6AFo8
JANTXV1N5553US
Виробник: Semtech Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 5A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 92pF @ 5V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV1N5553US microchiptechnology_mscos10223_1-1991179.pdf
JANTXV1N5553US
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.