на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 725.22 грн |
| 500+ | 664.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV1N5806 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANTXV1N5806
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV1N5806 | Виробник : MICROSEMI |
A/VOIDELESS HEREMTICALLY ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| JANTXV1N5806 | Виробник : Semtech |
2.5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE POWER DISCR 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTXV1N5806 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товару немає в наявності |
|
| JANTXV1N5806 | Виробник : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3.3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3.3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 |
товару немає в наявності |