JANTXV1N5809US Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: MIL-PRF-19500/477
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: MIL-PRF-19500/477
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 782.37 грн |
100+ | 699.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV1N5809US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Qualification: MIL-PRF-19500/477.
Інші пропозиції JANTXV1N5809US за ціною від 809.52 грн до 1400.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTXV1N5809US | Виробник : Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
JANTXV1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
JANTXV1N5809US | Виробник : MICROSEMI |
B/VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5809 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
JANTXV1N5809US | Виробник : Semtech |
D MET 6A SFST 100V HRV 6FFTV POWER DISCR 1N5809 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |