на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2993.73 грн |
100+ | 2740.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV1N6627U Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.75A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.75A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V, Qualification: MIL-PRF-19500/590.
Інші пропозиції JANTXV1N6627U
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
JANTXV1N6627U | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
JANTXV1N6627U | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.75A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.75A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V Qualification: MIL-PRF-19500/590 |
товару немає в наявності |
|
JANTXV1N6627U | Виробник : Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |