JANTXV2N2219A

JANTXV2N2219A Microchip / Microsemi


2N2218_2N2219AL_LDS0091_MIL_PRF_19500_251-3442350.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N2219A Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-205AD, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-205AD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/251.

Інші пропозиції JANTXV2N2219A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANTXV2N2219A Виробник : MICROSEMI 8917-lds-0091-datasheet TO-39NPN TRANSISTOR
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N2219A JANTXV2N2219A Виробник : Microchip Technology 8917-lds-0091-datasheet Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-205AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-205AD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.