JANTXV2N2219A Microchip / Microsemi
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 576.07 грн |
100+ | 532.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV2N2219A Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO205AD, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-205AD, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/251.
Інші пропозиції JANTXV2N2219A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTXV2N2219A | Виробник : MICROSEMI |
TO-39NPN TRANSISTOR кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
JANTXV2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO205AD Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-205AD Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/251 |
товар відсутній |