Технічний опис JANTXV2N2369AUB MICROSEMI
Description: TRANS NPN 20V UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: UB, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 400 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/317.
Інші пропозиції JANTXV2N2369AUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV2N2369AUB | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 20V UBPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/317 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N2369AUB | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N2369AUB | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N2369AUB |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 20V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 400 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/317
Description: TRANS NPN 20V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 400 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/317
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JANTXV2N2369AUB |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTXV2N2369AUB |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.