Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > JANTXV2N3439
JANTXV2N3439

JANTXV2N3439 Microchip / Microsemi

LDS-0022_2N3439-40.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1425.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N3439 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 350V 1A TO39, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/368, Grade: Military, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ).

Інші пропозиції JANTXV2N3439

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTXV2N3439 MICROSEMI 8830-lds-0022-datasheet 2N3439JANTXV 2N3439
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3439 JANTXV2N3439 Microchip Technology 8830-lds-0022-datasheet Description: TRANS NPN 350V 1A TO39
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3439 8830-lds-0022-datasheet
Виробник: MICROSEMI
2N3439JANTXV 2N3439
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3439 8830-lds-0022-datasheet
JANTXV2N3439
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.