Технічний опис JANTXV2N3501 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/366, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANTXV2N3501
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
JANTXV2N3501 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N3501 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



