JANTXV2N3501 Microchip / Microsemi
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1359.54 грн |
| 100+ | 1244.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV2N3501 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/366.
Інші пропозиції JANTXV2N3501
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
JANTXV2N3501 | Виробник : Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT BJTs |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
JANTXV2N3501 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
| JANTXV2N3501 | Виробник : MICROSEMI |
TO39/NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3501 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JANTXV2N3501 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 |
товару немає в наявності |