Продукція > MICROSEMI > JANTXV2N3637

JANTXV2N3637 MICROSEMI

8968-lds-0156-datasheet
Виробник: MICROSEMI
TO-39/PNP Transistor 2N3637
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N3637 MICROSEMI

Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/357, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-39.

Інші пропозиції JANTXV2N3637

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTXV2N3637 JANTXV2N3637 Microchip Technology 8968-lds-0156-datasheet Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3637 Microchip / Microsemi 2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357-3500071.pdf Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3637 8968-lds-0156-datasheet
JANTXV2N3637
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-39
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3637 2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357-3500071.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.