JANTXV2N3637UB Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV2N3637UB Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1.5 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.
Інші пропозиції JANTXV2N3637UB за ціною від 1565.56 грн до 1710.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N3637UB | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| JANTXV2N3637UB |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1710.66 грн |
| 100+ | 1565.56 грн |


