Продукція > MICROSEMI > JANTXV2N3700

JANTXV2N3700 MICROSEMI


LDS-0185_2N3700.pdf 2N3019-D.PDF Виробник: MICROSEMI
TO18/Low Power NPN Silicon Transistor 2N3700
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N3700 MICROSEMI

Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/391.

Інші пропозиції JANTXV2N3700

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JANTXV2N3700 JANTXV2N3700 Виробник : ON Semiconductor 2n3019-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3700 JANTXV2N3700 Виробник : Microchip Technology LDS-0185_2N3700.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/391
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3700 Виробник : onsemi 2N3019-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18-3
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3700 JANTXV2N3700 Виробник : Microchip / Microsemi 2N3700_LDS_0185_2_MIL_PRF_19500_391-3500337.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.