Продукція > MICROSEMI > JANTXV2N3810

JANTXV2N3810 MICROSEMI

8931-lds-0118-datasheet
Виробник: MICROSEMI
TO-78PNP DUAL TRANSISTORS
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N3810 MICROSEMI

Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78, Qualification: MIL-PRF-19500/336, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-78-6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JANTXV2N3810

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTXV2N3810 JANTXV2N3810 Microchip Technology 8931-lds-0118-datasheet Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
Qualification: MIL-PRF-19500/336
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3810 Microchip / Microsemi 2N3810_2N3811_MIL_PRF_19500_336-3500008.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3810 8931-lds-0118-datasheet
JANTXV2N3810
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
Qualification: MIL-PRF-19500/336
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N3810 2N3810_2N3811_MIL_PRF_19500_336-3500008.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.