JANTXV2N5303
Виробник:
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV2N5303
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/456, Power - Max: 20 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V.
Інші пропозиції JANTXV2N5303
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV2N5303 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3 Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/456 Power - Max: 20 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
JANTXV2N5303 | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N5303 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/456
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Description: TRANS NPN 60V 20A TO3
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/456
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JANTXV2N5303 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.