Jantxv2N5581 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46
Qualification: MIL-PRF-19500/423
Grade: Military
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jantxv2N5581 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46, Qualification: MIL-PRF-19500/423, Grade: Military, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції Jantxv2N5581
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| Jantxv2N5581 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N5581 |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику
од. на суму грн.

