Технічний опис JANTXV2N6301 MOTOROLA
Description: TRANS PNP DARL 80V 8A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V, Supplier Device Package: TO-66, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 75 W.
Інші пропозиції JANTXV2N6301
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
JANTXV2N6301 | Виробник : Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
JANTXV2N6301 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
JANTXV2N6301 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Supplier Device Package: TO-66 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 75 W |
товару немає в наявності |