JANTXV2N6352
Виробник: на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV2N6352
Description: TRANS NPN DARL 80V 5A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції JANTXV2N6352
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N6352 | Виробник : Microsemi |
Trans Darlington NPN 80V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) TO-213AA Tray |
товар відсутній |
||
| JANTXV2N6352 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN DARL 80V 5A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |