Продукція > MICROSEMI > JANTXV2N930

JANTXV2N930 MICROSEMI

2n930.pdf
Виробник: MICROSEMI
TO-18/NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR JANTXV2N930
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N930 MICROSEMI

Description: TRANS NPN 45V 0.03A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/253.

Інші пропозиції JANTXV2N930

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANTXV2N930 JANTXV2N930 Microchip Technology 2n930.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.03A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/253
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N930 Microchip / Microsemi 2n930.pdf Bipolar Transistors - BJT 45V 30mA 300mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N930 2n930.pdf
JANTXV2N930
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 45V 0.03A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/253
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANTXV2N930 2n930.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 45V 30mA 300mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.