JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Current - Max: 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SOD-882
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.44 грн |
| 16+ | 19.28 грн |
| 100+ | 12.21 грн |
| 500+ | 8.58 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| 2000+ | 6.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V CST2, Current - Max: 50 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: CST2, Voltage - Peak Reverse (Max): 30V, Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz, Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Operating Temperature: 150°C (TJ), Diode Type: PIN - Single, Package / Case: SOD-882, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції JDP2S02ACT(TPL3)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
JDP2S02ACT(TPL3) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF DIODE PIN 30V CST2 Current - Max: 50 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST2 Voltage - Peak Reverse (Max): 30V Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz Operating Temperature: 150°C (TJ) Diode Type: PIN - Single Package / Case: SOD-882 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
JDP2S02ACT(TPL3) | Виробник : Toshiba |
PIN Diodes Radio-Freq SGL 30V 0.3pF 1 Ohm |
товару немає в наявності |