K4F6E3S4HM-MGCJ Samsung Semiconductor, Inc.
Виробник: Samsung Semiconductor, Inc.
Description: LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V
Clock Frequency: 1866 MHz
Memory Format: DRAM
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V
Clock Frequency: 1866 MHz
Memory Format: DRAM
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1280+ | 629.07 грн |
| 2560+ | 598.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис K4F6E3S4HM-MGCJ Samsung Semiconductor, Inc.
Description: LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v, Packaging: Tray, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 16Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C, Voltage - Supply: 1.1V, Clock Frequency: 1866 MHz, Memory Format: DRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 512M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції K4F6E3S4HM-MGCJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HM-MGCJ | Виробник : Samsung |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |