Технічний опис K4S561632E-TC75000 Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 480 шт.
Інші пропозиції K4S561632E-TC75000
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| K4S561632E-TC75000 | Samsung |
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт кількість в упаковці: 480 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. |
| K4S561632E-TC75000 |
Виробник: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 480 шт
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 480 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику
од. на суму грн.


