Технічний опис K6T4008C1BDB70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт.
Інші пропозиції K6T4008C1BDB70
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| K6T4008C1B-DB70 | SAMSUNG | DIP |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| K6T4008C1B-DB70 |
Виробник: SAMSUNG
DIP
DIP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)