Технічний опис K6T4008C1BDB70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт.
Інші пропозиції K6T4008C1BDB70
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| K6T4008C1B-DB70 | Виробник : SAMSUNG | DIP |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| K6T4008C1B-DB70 | Виробник : Samsung |
 SRAM 512K#8 70ns, 5V, low power 80мА/20мкА, 0...+70, DIP-32 Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| K6T4008C1B-DB70 | Виробник : Samsung | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| K6T4008C1B-DB70 | Виробник : Samsung | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |