Технічний опис K6X1008T2D-GF70 SAMSUNG
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції K6X1008T2D-GF70
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| K6X1008T2D-GF70 | Виробник : Samsung |
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |