KBP103G C2 Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A KBP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Supplier Device Package: KBP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBP
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBP103G C2 Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A KBP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Supplier Device Package: KBP, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, KBP, Packaging: Tube.
Інші пропозиції KBP103G C2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KBP103G C2 | Taiwan Semiconductor |
Bridge Rectifiers 1A,200V,GLASS PASSIVATED INLINE BRIDGE RECTIFIER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| KBP103G C2 |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1A,200V,GLASS PASSIVATED INLINE BRIDGE RECTIFIER
Bridge Rectifiers 1A,200V,GLASS PASSIVATED INLINE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.