KBP208 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.72 грн |
| 10+ | 54.49 грн |
| 25+ | 42.85 грн |
| 100+ | 37.46 грн |
| 250+ | 32.86 грн |
| 500+ | 29.11 грн |
| 1000+ | 21.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBP208 GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBP, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції KBP208
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
KBP208 Код товару: 123831 |
Виробник : YJ |
 Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збіркиКорпус: KBP Uзвор, V: 800 V I пр, A: 2 A Тип діодного моста: Однофазний Монтаж: THT Імпульсний струм, А: 60 A |
товар відсутній
|
||
| KBP208 | Виробник : EIC |
 Silicon Bridge Rectifiers 4Kbp |
товар відсутній |
||
| KBP208 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товар відсутній |