KBP301G Taiwan Semiconductor
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.89 грн |
| 10+ | 39.77 грн |
| 100+ | 25.77 грн |
| 500+ | 20.3 грн |
| 1000+ | 15.62 грн |
| 2000+ | 14.22 грн |
| 5000+ | 12.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBP301G Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBP, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції KBP301G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
KBP301G Код товару: 192722 |
 Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки |
товар відсутній
|
|||
 |
KBP301G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBP Packaging: Tube Package / Case: 4-ESIP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBP Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |