KBU1003G Taiwan Semiconductor
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.02 грн |
| 10+ | 120.62 грн |
| 100+ | 83.01 грн |
| 500+ | 59.84 грн |
| 2500+ | 58.33 грн |
| 5000+ | 57.12 грн |
| 10000+ | 56.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBU1003G Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A KBU, Packaging: Tray, Package / Case: 4-SIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції KBU1003G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KBU1003G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A KBUPackaging: Tray Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |