KBU406 GeneSiC Semiconductor


KBU4005%20THRU%20KBU410.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 4A KBU Silicon Bridge Rectifer
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KBU406 GeneSiC Semiconductor

Description: RECT BRIDGE 600V 4A KBU, Packaging: Box, Package / Case: 4-ESIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції KBU406

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KBU406 GeneSiC Semiconductor KBU4005%20THRU%20KBU410.pdf Bridge Rectifiers 600V 4A KBU Silicon Bridge Rectifer Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU406 Yangzhou Yangjie Electronic KBU4005%20THRU%20KBU410.pdf Диодный мост однофазный; Urmax: 600В; Ifsm: 120А; KBU; If: 4А; THT Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU406 KBU406 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd KBU4005%20THRU%20KBU410.pdf Description: RECT BRIDGE 600V 4A KBU
Packaging: Box
Package / Case: 4-ESIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU406 KBU406 YANGJIE TECHNOLOGY KBU4005_SER.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 120A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU406 KBU4005%20THRU%20KBU410.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 4A KBU Silicon Bridge Rectifer Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU406 KBU4005%20THRU%20KBU410.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic
Диодный мост однофазный; Urmax: 600В; Ifsm: 120А; KBU; If: 4А; THT Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU406 KBU4005%20THRU%20KBU410.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 600V 4A KBU
Packaging: Box
Package / Case: 4-ESIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU406 KBU4005_SER.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 120A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.