KSA1013YBU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1979+ | 17.75 грн |
| 10000+ | 15.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSA1013YBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSA1013YBU за ціною від 11.14 грн до 50.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSA1013YBU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 149449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSA1013YBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 32959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSA1013YBU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Power dissipation: 0.9W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 160...320 Kind of package: bulk Case: TO92 Frequency: 50MHz Collector current: 1A |
на замовлення 5839 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSA1013YBU | onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSA1013YBU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
KSA1013YBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSA1013YBU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 149449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1979+ | 17.75 грн |
| 10000+ | 15.82 грн |
| 100000+ | 13.25 грн |
| KSA1013YBU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 32959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1979+ | 17.75 грн |
| 10000+ | 15.82 грн |
| KSA1013YBU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 160...320
Kind of package: bulk
Case: TO92
Frequency: 50MHz
Collector current: 1A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 160...320
Kind of package: bulk
Case: TO92
Frequency: 50MHz
Collector current: 1A
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 46.12 грн |
| 13+ | 33.11 грн |
| 15+ | 28.50 грн |
| 100+ | 17.05 грн |
| 500+ | 13.18 грн |
| KSA1013YBU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.03 грн |
| 10+ | 29.65 грн |
| 100+ | 19.13 грн |
| 500+ | 13.68 грн |
| 1000+ | 12.30 грн |
| 2000+ | 11.14 грн |
| KSA1013YBU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSA1013YBU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)