KSA1142OSTU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.35 грн |
| 24+ | 32.72 грн |
| 100+ | 28.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSA1142OSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSA1142OSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 180 V, 100 mA, 8 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSA1142, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції KSA1142OSTU за ціною від 20.02 грн до 77.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSA1142OSTU | onsemi |
 Description: TRANS PNP 180V 0.1A TO126-3Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Power - Max: 1.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube |
на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
KSA1142OSTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
KSA1142OSTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1142OSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 180 V, 100 mA, 8 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 8W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSA1142 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
KSA1142OSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSA1142OSTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 180V 0.1A TO126-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Description: TRANS PNP 180V 0.1A TO126-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.49 грн |
| 10+ | 46.41 грн |
| 100+ | 30.45 грн |
| 500+ | 22.11 грн |
| 1000+ | 20.02 грн |
| KSA1142OSTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSA1142OSTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1142OSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 180 V, 100 mA, 8 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSA1142
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - KSA1142OSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 180 V, 100 mA, 8 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSA1142
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSA1142OSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)