Технічний опис KSA708YBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції KSA708YBU за ціною від 1.41 грн до 26.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSA708YBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 12499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSA708YBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 8170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSA708YBU | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 0.7A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSA708YBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 8170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSA708YBU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Current gain: 120...240 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz |
на замовлення 9509 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSA708YBU | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.7A TO-92-3Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSA708YBU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 11102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KSA708YBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSA708YBU | FAIRCHIL |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 12499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10068+ | 1.41 грн |
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4951+ | 2.86 грн |
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5485+ | 3.70 грн |
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 162+ | 4.68 грн |
| 265+ | 2.86 грн |
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Current gain: 120...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Current gain: 120...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 17.90 грн |
| 33+ | 12.63 грн |
| 39+ | 10.89 грн |
| 47+ | 8.89 грн |
| 100+ | 6.81 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 5.32 грн |
| 5000+ | 4.82 грн |
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.7A TO-92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Description: TRANS PNP 60V 0.7A TO-92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.41 грн |
| 20+ | 15.63 грн |
| 100+ | 9.80 грн |
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 11102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSA708YBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








