KSA709CGTA onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.7A TO92-3
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSA709CGTA onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.7A TO92-3, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції KSA709CGTA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
KSA709CGTA | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| KSA709CGTA |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



