Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSB1151YS
KSB1151YS

KSB1151YS ON Semiconductor

ksb1151-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSB1151YS ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.

Інші пропозиції KSB1151YS за ціною від 26.58 грн до 108.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSB1151YS KSB1151YS Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS21120-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
839+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 839
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YS KSB1151YS Виробник : onsemi / Fairchild KSB1151_D-1810347.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 22058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.66 грн
10+65.43 грн
100+38.57 грн
500+30.55 грн
1000+30.24 грн
2000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YS KSB1151YS Виробник : onsemi ksb1151-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.22 грн
10+65.47 грн
100+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YS KSB1151YS
Код товару: 73229
Додати до обраних Обраний товар

ksb1151-d.pdf FAIRS21120-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YS KSB1151YS Виробник : ON Semiconductor 3665714913819855ksb1151.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YS Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE33CE660B280D6&compId=KSB1151.pdf?ci_sign=af30fdfbb10fe21d972f1ea0040afdf92eba72e2 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.