Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції KSB1151YS за ціною від 19.18 грн до 34.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSB1151YS | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
KSB1151YS | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
KSB1151YS | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 22058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSB1151YS |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 19.18 грн |
| KSB1151YS |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 572+ | 34.73 грн |
| KSB1151YS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 22058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





