KSB1151YS ON Semiconductor
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 15.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSB1151YS ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.
Інші пропозиції KSB1151YS за ціною від 25.60 грн до 104.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSB1151YS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSB1151YS | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 22058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSB1151YS | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSB1151YS Код товару: 73229
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
 |
KSB1151YS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| KSB1151YS | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 8A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| KSB1151YS | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 8A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: bulk |
товару немає в наявності |