Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції KSB772YS за ціною від 15.50 грн до 67.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSB772YS | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSB772YS | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 42539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSB772YS | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSB772YS | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSB772YS | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSB772YS | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 7A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 80MHz |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSB772YS | onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 4824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSB772YS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 5612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772-Y-S |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| KSB772-YS |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| KSB772YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1972 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1744+ | 20.24 грн |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 42539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 969+ | 21.01 грн |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 531+ | 26.62 грн |
| 2000+ | 24.09 грн |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 444+ | 31.83 грн |
| 583+ | 24.23 грн |
| 691+ | 20.43 грн |
| 1000+ | 17.86 грн |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.55 грн |
| 24+ | 31.83 грн |
| 100+ | 24.23 грн |
| 500+ | 19.70 грн |
| 1000+ | 16.54 грн |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 80MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 80MHz
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 48.11 грн |
| 12+ | 34.99 грн |
| 100+ | 23.91 грн |
| 500+ | 18.53 грн |
| 1000+ | 17.87 грн |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.27 грн |
| 10+ | 40.28 грн |
| 100+ | 26.18 грн |
| 500+ | 18.88 грн |
| 1000+ | 17.04 грн |
| 2000+ | 15.50 грн |
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSB772YS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






