KSB772YSTU ON Semiconductor
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1780+ | 17.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSB772YSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції KSB772YSTU за ціною від 14.68 грн до 50.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSB772YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSB772YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 13440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSB772YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSB772YSTU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 809747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSB772YSTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 21203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSB772YSTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSB772YSTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSB772YSTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| KSB772YSTU | Виробник : FAIRCHILD |
TO-126 |
на замовлення 5760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| KSB772YSTU | Виробник : FAIRCHILD |
TO-126F |
на замовлення 209280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
KSB772YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товару немає в наявності |