Технічний опис KSB772YSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції KSB772YSTU за ціною від 19.83 грн до 20.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSB772YSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
KSB772YSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 13440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
KSB772YSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
KSB772YSTU | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 797650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
KSB772YSTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
KSB772YSTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| KSB772YSTU | FAIRCHILD |
TO-126F |
на замовлення 209280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSB772YSTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1780+ | 19.83 грн |
| KSB772YSTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1780+ | 19.83 грн |
| KSB772YSTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1780+ | 19.83 грн |
| KSB772YSTU |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 797650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 993+ | 20.33 грн |
| KSB772YSTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSB772YSTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSB772YSTU |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
TO-126F
TO-126F
на замовлення 209280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





