KSC1008CYTA ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2539+ | 5.54 грн |
| 4000+ | 5.34 грн |
| 8000+ | 5.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC1008CYTA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSC1008, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSC1008CYTA за ціною від 4.92 грн до 26.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC1008CYTA | onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 9245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 6289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed Mounting: THT Case: TO92 Formed Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.8W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Frequency: 50MHz Kind of package: Ammo Pack Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 6078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSC1008 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSC1008CYTA |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 5.67 грн |
| 4000+ | 4.92 грн |
| KSC1008CYTA |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 9245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5339+ | 6.58 грн |
| KSC1008CYTA |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 6289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5339+ | 6.58 грн |
| KSC1008CYTA |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.06 грн |
| 26+ | 16.14 грн |
| 30+ | 13.75 грн |
| 100+ | 8.24 грн |
| 200+ | 7.25 грн |
| 500+ | 6.18 грн |
| 1000+ | 5.52 грн |
| KSC1008CYTA |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 19+ | 15.64 грн |
| 100+ | 9.83 грн |
| 500+ | 6.85 грн |
| 1000+ | 6.08 грн |
| KSC1008CYTA |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 6078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSC1008CYTA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC1008
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC1008
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)