KSC1008CYTA ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2539+ | 5.58 грн |
| 4000+ | 5.39 грн |
| 8000+ | 5.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC1008CYTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції KSC1008CYTA за ціною від 3.70 грн до 26.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC1008CYTA | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 9245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 6289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed Mounting: THT Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.8W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Frequency: 50MHz Kind of package: Ammo Pack Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: TO92 Formed |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSC1008CYTA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 7499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSC1008CYTA | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|