Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > KSC1008GBU
KSC1008GBU

KSC1008GBU Fairchild Semiconductor

FAIRS24258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11270+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11270
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC1008GBU Fairchild Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції KSC1008GBU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSC1008GBU KSC1008GBU Виробник : onsemi ksc1008-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008GBU KSC1008GBU Виробник : ON Semiconductor / Fairchild ksc1008-1192468.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.