KSC1008GTA ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12553+ | 2.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC1008GTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції KSC1008GTA за ціною від 2.83 грн до 2.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSC1008GTA | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
KSC1008GTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
KSC1008GTA | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |