Продукція > ONSEMI > KSC1008YTA
KSC1008YTA

KSC1008YTA onsemi

ksc1008-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC1008YTA onsemi

Description: ONSEMI - KSC1008YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції KSC1008YTA за ціною від 4.79 грн до 30.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSC1008YTA KSC1008YTA onsemi ksc1008-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.07 грн
19+16.53 грн
100+10.38 грн
500+7.23 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YTA KSC1008YTA onsemi ksc1008-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 13214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
11+30.52 грн
17+18.36 грн
100+10.04 грн
500+7.45 грн
1000+6.69 грн
2000+5.55 грн
4000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YTA KSC1008YTA ONSEMI ONSM-S-A0013713723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC1008YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YTA ksc1008-d.pdf
KSC1008YTA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.07 грн
19+16.53 грн
100+10.38 грн
500+7.23 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YTA ksc1008-d.pdf
KSC1008YTA
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 13214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.52 грн
17+18.36 грн
100+10.04 грн
500+7.45 грн
1000+6.69 грн
2000+5.55 грн
4000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YTA ONSM-S-A0013713723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC1008YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC1008YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.