Продукція > ONSEMI > KSC1009GBU
KSC1009GBU

KSC1009GBU onsemi


ksc1009-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.7A TO92-3
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC1009GBU onsemi

Description: TRANS NPN 140V 0.7A TO92-3, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції KSC1009GBU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSC1009GBU KSC1009GBU Виробник : onsemi / Fairchild fairchild semiconductor_ksc1009.pdf Bipolar Transistors - BJT TBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.