KSC2316OTA onsemi

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис KSC2316OTA onsemi

Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3, Power - Max: 900 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB).

Інші пропозиції KSC2316OTA

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	KSC2316OTA	Виробник : onsemi / Fairchild	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.