Продукція > ONSEMI > KSC2316YBU
KSC2316YBU

KSC2316YBU onsemi


ksc2316-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC2316YBU onsemi

Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3, Power - Max: 900 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції KSC2316YBU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSC2316YBU KSC2316YBU Виробник : onsemi / Fairchild KSC2316-1301164.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2316YBU Виробник : STMicroelectronics ksc2316-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.