KSC2330OTA

KSC2330OTA ON Semiconductor / Fairchild


KSC2330-D-1810536.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC2330OTA ON Semiconductor / Fairchild

Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції KSC2330OTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
KSC2330OTA KSC2330OTA Виробник : onsemi ksc2330-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній