KSC2682OS onsemi


KSC2682.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 180V 0.1A TO126-3
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC2682OS onsemi

Description: TRANS NPN 180V 0.1A TO126-3, Power - Max: 1.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-126-3, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції KSC2682OS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSC2682OS Diodes Incorporated KSC2682.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2682OS KSC2682OS onsemi / Fairchild KSC2682.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2682OS KSC2682.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2682OS KSC2682.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.