KSC2690AYSTU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 485+ | 30.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
485 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC2690AYSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 155MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSC2690AYSTU за ціною від 20.70 грн до 142.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC2690AYSTU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 2.5A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 155MHz |
на замовлення 1267 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC2690AYSTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 3652 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC2690AYSTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC2690AYSTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 37.37 грн |
| 60+ | 33.43 грн |
| 120+ | 28.04 грн |
| 540+ | 25.39 грн |
| 1020+ | 21.79 грн |
| 2040+ | 20.70 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 371+ | 39.54 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 44.75 грн |
| 60+ | 38.21 грн |
| 120+ | 30.18 грн |
| 540+ | 26.83 грн |
| 1020+ | 22.56 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 328+ | 44.75 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 45.65 грн |
| 60+ | 39.03 грн |
| 120+ | 30.90 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 66.75 грн |
| 9+ | 51.79 грн |
| 10+ | 45.08 грн |
| 25+ | 35.83 грн |
| 38+ | 25.47 грн |
| 105+ | 24.03 грн |
| 1020+ | 23.43 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.04 грн |
| 10+ | 59.18 грн |
| 100+ | 38.22 грн |
| 500+ | 30.92 грн |
| 1920+ | 30.85 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.04 грн |
| 60+ | 63.77 грн |
| 120+ | 57.14 грн |
| 540+ | 43.29 грн |
| 1020+ | 39.96 грн |
| 2040+ | 36.88 грн |
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSC2690AYSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)