Технічний опис KSC2690AYSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 155MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSC2690AYSTU за ціною від 16.48 грн до 128.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSC2690AYSTU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 2.5A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 155MHz |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSC2690AYSTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSC2690AYSTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 4433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSC2690AYSTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 15755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KSC2690AYSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSC2690AYSTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 343+ | 41.41 грн |
| 395+ | 35.93 грн |
| 490+ | 28.96 грн |
| 540+ | 25.90 грн |
| 1020+ | 21.15 грн |
| 2040+ | 20.10 грн |
| KSC2690AYSTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 41.46 грн |
| 60+ | 35.97 грн |
| 120+ | 29.00 грн |
| 540+ | 25.93 грн |
| 1020+ | 21.18 грн |
| 2040+ | 20.12 грн |
| KSC2690AYSTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.79 грн |
| 13+ | 34.63 грн |
| 14+ | 31.35 грн |
| 25+ | 27.91 грн |
| 50+ | 25.72 грн |
| 60+ | 25.13 грн |
| 120+ | 23.20 грн |
| 540+ | 22.86 грн |
| KSC2690AYSTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 79.35 грн |
| 23+ | 35.52 грн |
| 100+ | 31.53 грн |
| 500+ | 23.07 грн |
| 1000+ | 19.27 грн |
| 5000+ | 16.48 грн |
| KSC2690AYSTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.98 грн |
| 10+ | 53.80 грн |
| 100+ | 32.40 грн |
| KSC2690AYSTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 15755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.05 грн |
| 60+ | 57.64 грн |
| 120+ | 51.65 грн |
| 540+ | 39.13 грн |
| 1020+ | 36.12 грн |
| 2040+ | 33.34 грн |
| 5040+ | 29.87 грн |
| 10020+ | 29.54 грн |
| KSC2690AYSTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






