KSC2690AYSTU ON Semiconductor


ksc2690a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.23 грн
60+35.80 грн
120+28.87 грн
540+25.82 грн
1020+21.10 грн
2040+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC2690AYSTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 155MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції KSC2690AYSTU за ціною від 20.10 грн до 130.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+41.32 грн
396+35.88 грн
490+28.94 грн
540+25.89 грн
1020+21.15 грн
2040+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.71 грн
60+37.39 грн
120+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.12 грн
60+38.74 грн
120+30.03 грн
540+26.54 грн
1020+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.12 грн
366+38.74 грн
472+30.03 грн
540+26.54 грн
1020+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.51 грн
500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ONSEMI KSC2690A.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.01 грн
13+34.40 грн
14+31.16 грн
25+27.84 грн
50+25.68 грн
60+25.10 грн
120+23.18 грн
540+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU onsemi ksc2690a-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
60+58.63 грн
120+52.54 грн
540+39.81 грн
1020+36.74 грн
2040+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU onsemi ksc2690a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ONSEMI FAIRS18535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
344+41.32 грн
396+35.88 грн
490+28.94 грн
540+25.89 грн
1020+21.15 грн
2040+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.71 грн
60+37.39 грн
120+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.12 грн
60+38.74 грн
120+30.03 грн
540+26.54 грн
1020+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+46.12 грн
366+38.74 грн
472+30.03 грн
540+26.54 грн
1020+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
247+57.51 грн
500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU KSC2690A.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.01 грн
13+34.40 грн
14+31.16 грн
25+27.84 грн
50+25.68 грн
60+25.10 грн
120+23.18 грн
540+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.47 грн
60+58.63 грн
120+52.54 грн
540+39.81 грн
1020+36.74 грн
2040+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU FAIRS18535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYSTU ksc2690a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.