KSC3265YMTF onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.71 грн |
6000+ | 2.42 грн |
9000+ | 2.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC3265YMTF onsemi
Description: ONSEMI - KSC3265YMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25V, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 800mA, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSC3265YMTF за ціною від 1.51 грн до 18.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSC3265YMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC3265YMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE Dauer-Kollektorstrom: 800mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25V Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 800mA Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 10614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 12992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC3265YMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 800mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSC3265YMTF Код товару: 74012 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
KSC3265YMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |