Продукція > ONSEMI > KSC5026MOS
KSC5026MOS

KSC5026MOS ONSEMI

KSC5026M.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Type of transistor: NPN
Collector current: 1.5A
Pulsed collector current: 5A
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...40
Collector-emitter voltage: 800V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.08 грн
10+53.81 грн
100+36.07 грн
500+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC5026MOS ONSEMI

Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції KSC5026MOS за ціною від 27.12 грн до 114.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSC5026MOS KSC5026MOS onsemi ksc5026m-d.pdf Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
10+60.74 грн
100+40.45 грн
500+29.76 грн
1000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS KSC5026MOS ONSEMI ksc5026m-d.pdf Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.92 грн
12+72.81 грн
100+48.46 грн
500+35.30 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS KSC5026MOS onsemi ksc5026m-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS KSC5026MOS onsemi / Fairchild KSC5026M_D-2314578.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS FAIRCHILD ksc5026m-d.pdf TO-126 06+
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS ksc5026m-d.pdf
KSC5026MOS
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.96 грн
10+60.74 грн
100+40.45 грн
500+29.76 грн
1000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS ksc5026m-d.pdf
KSC5026MOS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.92 грн
12+72.81 грн
100+48.46 грн
500+35.30 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS ksc5026m-d.pdf
KSC5026MOS
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS KSC5026M_D-2314578.pdf
KSC5026MOS
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS ksc5026m-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
TO-126 06+
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.