KSC5026MOS onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.31 грн |
| 10+ | 56.97 грн |
| 100+ | 38.46 грн |
| 500+ | 32.68 грн |
| 1000+ | 26.55 грн |
| 2000+ | 25.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC5026MOS onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції KSC5026MOS за ціною від 27.43 грн до 116.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSC5026MOS | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Type of transistor: NPN Collector current: 1.5A Pulsed collector current: 5A Power dissipation: 20W Current gain: 20...40 Collector-emitter voltage: 800V Frequency: 15MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSC5026MOS | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3Power - Max: 20 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126-3 Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSC5026MOS | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
KSC5026MOS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| KSC5026MOS | Виробник : FAIRCHILD |
TO-126 06+ |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |



