KSC5026MOS ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 700+ | 51.43 грн |
| 1000+ | 47.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
700 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC5026MOS ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSC5026MOS за ціною від 27.21 грн до 124.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC5026MOS | ONSEMI |
 Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 5A Type of transistor: NPN Current gain: 20...40 Kind of package: bulk Case: TO126ISO Frequency: 15MHz Collector current: 1.5A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 800V |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSC5026MOS | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSC5026MOS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSC5026MOS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSC5026MOS |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...40
Kind of package: bulk
Case: TO126ISO
Frequency: 15MHz
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 800V
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...40
Kind of package: bulk
Case: TO126ISO
Frequency: 15MHz
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 800V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 101.54 грн |
| 10+ | 54.57 грн |
| 27+ | 36.55 грн |
| 72+ | 34.54 грн |
| 1000+ | 33.21 грн |
| KSC5026MOS |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.42 грн |
| 10+ | 69.92 грн |
| 100+ | 46.49 грн |
| 500+ | 34.21 грн |
| 1000+ | 31.17 грн |
| KSC5026MOS |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.22 грн |
| 10+ | 77.55 грн |
| 100+ | 44.88 грн |
| 500+ | 35.20 грн |
| 1000+ | 32.02 грн |
| 2000+ | 27.21 грн |
| KSC5026MOS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC5026MOS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)